崔宁
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张娟
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李航宇
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宋德
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153001.0057
研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响.通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性.实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍.较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件.绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义.
关键词:
自组装单分子层
,
薄膜形貌
,
酞菁氧钒
,
烷基链
赵秋丽
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王金磊
,
杨庆浩
,
陈进
,
后振中
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.08.002
制备了带有不同烷基链长的四苯基乙烯衍生物1,1,2,2-四(4-正己氧基苯基)乙烯(THPE)和1,1,2,2-四(4-正癸氧基苯基)乙烯(TDPE),并采用紫外吸收光谱、荧光光谱研究THPE和TDPE在四氢呋喃(THF)/H2O混合溶剂中的光物理性质,通过扫描电镜观察THPE和TDPE在THF/H2O中形成的聚集体的形态结构.结果表明,THPE和TDPE在THF/H2O中的紫外吸收光谱都出现拖尾现象,然而开始出现拖尾时溶剂中的水含量不同,THPE和TDPE分别在水含量为50%和40%的THF/H2O中开始出现拖尾现象;THPE和TDPE都具有聚集诱导发光(AIE)性能,它们的荧光量子产率随着水含量的增加而增大,但是荧光量子产率快速增长的起始点不同,THPE和TDPE的荧光量子产率分别在水含量达到40%和30%后开始快速增长;THPE和TDPE在THF/H2O中都能形成形状规则的聚集体,不同的是THPE在水含量为70%时才形成有序的纳米棒,而TDPE则在水含量为50%时即能形成纳米棒和微米片.这表明,带有长烷基链的TDPE更容易聚集,通过调节烷基链长度,有望制备出发光效率高、聚集体结构可控的AIE材料.
关键词:
四苯基乙烯
,
烷基链
,
聚集诱导发光
